[发明专利]半导体结构及制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及制备方法，制备方法包括如下步骤：1)提供半导体衬底，并在半导体衬底内形成沟槽；2)对沟槽底部及侧壁进行离子注入，形成掺杂介质层；3)在沟槽内形成第一介质层，其上表面低于半导体衬底上表面；4)在沟槽未被第一介质层覆盖的侧壁上生长位于第一介质层上方的衬底延伸层，并暴露第一介质层的部分表面；5)在第一介质层及衬底延伸层的表面形成至少填满沟槽的第二介质层。本发明所得浅沟槽隔离结构通过形成衬底延伸层以覆盖保护沟槽边缘处的介质层侧壁，避免了边缘缺口缺陷的形成，也增大了有源区面积，降低了窄沟道效应；采用离子注入得到了沟槽底部较宽的浅沟槽隔离结构，改善了隔离效果，提升了产品良率。