[发明专利]一种复合基材及其制备方法有效
| 申请号： | 201811146713.3 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109280881B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种复合基材，包括：Apical基底；DLC薄膜阻性材料层，形成于所述Apical基底上；金属过渡层，形成于所述DLC薄膜阻性材料层上；铜薄膜层，形成于所述金属过渡层上。本公开还提供了一种复合基材的制备方法，包括：步骤S1：在Apical基底表面溅射沉积DLC薄膜阻性材料层；步骤S2：在所述DLC薄膜阻性材料层表面溅射沉积铬薄膜材料以及铬铜共掺薄膜材料，形成金属过渡层；以及步骤S3：在所述金属过渡层表面溅射沉积铜薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属过渡层 阻性材料 复合基材 溅射沉积 铜薄膜层 基底 制备 薄膜材料 基底表面 铬薄膜 铬铜 共掺 | ||
【主权项】：
1.一种复合基材，其特征在于，包括：/nApical基底；APICAL基底材料的厚度为50μm；/nDLC薄膜阻性材料层，形成于所述Apical基底上；DLC薄膜阻性材料层厚度为100纳米；/n金属过渡层，形成于所述DLC薄膜阻性材料层上；/n铜薄膜层，形成于所述金属过渡层上；铜薄膜层的厚度为4.3微米；所述金属过渡层包括：铬薄膜层以及形成于铬薄膜层上的铬铜共掺薄膜层；铬薄膜层的厚度为100nm～200nm，通过在DLC薄膜阻性材料层上溅射铬靶5-10分钟得到。/n
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