[发明专利]灵敏放大器电路

摘要

本发明公开了一种灵敏放大器电路，包括：九个PMOS晶体管，七个NMOS晶体管，两个电容，两个反相器，一个运算放大器，一个压控电流源和一个存储单元；第一电容和第二电容控制第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的补偿电流；存储单元电流和第一压控电流源电流通过第一电容和第二电容来影响补偿电流，实现动态改变补偿电流的作用。本发明能够大幅调高比较电流的速度，实现高速的灵敏放大器电路。

主权项

1.一种灵敏放大器电路，其特征在于，包括：九个PMOS晶体管，七个NMOS晶体管，两个电容，两个反相器，一个运算放大器，一个压控电流源和一个存储单元；第一PMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的漏极与电源电压VDD端相连接；第三PMOS晶体管的源极与第一PMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为LD，第二PMOS晶体管的源极与第四PMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为RD；第一电容的一端与节点LD相连接，另一端与第二PMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为RG；第二电容的一端与节点RD相连接，另一端与第一PMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为LG；第三PMOS晶体管的栅极和第四PMOS晶体管的栅极输入准备信号PRE；第一运算放大器的反相输入端与节点LD相连接，其正反相输入端与节点RD相连接，其输出端作为电路的输出端OUT；第一NMOS晶体管的漏极与节点LD相连接，其源极与第一反相器的输入端和存储单元的一端相连接，其连接的节点记为A，存储单元的另一端接地，第一反相器的输出端与第一NMOS晶体管的栅极相连接；第二NMOS晶体管的源极与节点RD相连接，其漏极与第二反相器的输入端和第一压控电流源的正端相连接，第一压控电流源的负一端接地；第二反相器的输出端与第二NMOS晶体管的栅极相连接；第七PMOS晶体管的漏极与电源电压端VDD相连接，其栅极输入信号反相的使能信号SAENB，其源极与第五PMOS晶体管的源极和第六PMOS晶体管的漏极相连接；第五PMOS晶体管的漏极、第六PMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的源极与节点LD相连接；第六PMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极、第五PMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管NM3的栅极与节点RD相连接；第三NMOS晶体管的漏极与第四NMOS晶体管的源极和第五NMOS晶体管的漏极相连接，第五NMOS晶体管栅极输入使能信号SAEN，其源极接地；第八PMOS晶体管的源极与第六NMOS晶体管的漏极和节点LG相连接，第八PMOS晶体管的漏极与第六NMOS晶体管的源极相连接，输入外部提供PMOS晶体管的偏置电压信号PBIAS；第八PMOS晶体管的栅极输入准备信号PRE，第六NMOS晶体管的栅极输入预充电信号PREB；第九PMOS晶体管的源极与第七NMOS晶体管的漏极和节点RG相连接，第九PMOS晶体管的漏极与第七NMOS晶体管的源极相连接，输入外部提供PMOS晶体管的偏置电压信号PBIAS；第九PMOS晶体管的栅极输入准备信号PRE，第七NMOS晶体管的栅极输入预充电信号PREB。