[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201811141502.0 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585560A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郭书豪;张容浩;黄昭宪;林立德;江国诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，包括将第一半导体基板通过一绝缘层结合在第二半导体基板上，及蚀刻第一半导体基板以形成鳍的上部，其中绝缘层的第一部分通过蚀刻第一半导体基板而曝露。保护层通过使用原子层沉积制程而沉积于鳍上部上方及绝缘层的第一部分的顶表面上方。蚀刻位于鳍上部的顶表面上方及绝缘层的第一部分的顶表面上方的保护层的第一部分，其中保护层的第二部分保留在鳍上部的侧壁上。绝缘层的第一部分被蚀刻，绝缘层的第二部分保留在鳍上部下。蚀刻第二半导体基板以在绝缘层的第二部分下形成鳍底部。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 蚀刻 半导体基板 保护层 顶表面 半导体元件 原子层沉积 保留 侧壁 曝露 制程 沉积 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：将一第一半导体基板通过一绝缘层结合至一第二半导体基板，该绝缘层位于该第一半导体基板与该第二半导体基板之间；蚀刻该第一半导体基板以形成一鳍的一上部，其中该绝缘层的一第一部分通过蚀刻该第一半导体基板而曝露；通过使用一原子层沉积制程而沉积一保护层于该鳍的该上部上及该绝缘层的该第一部分的一顶表面上；蚀刻位于该鳍的该上部的一顶表面上及该绝缘层的该第一部分的该顶表面上的该保护层的一第一部分，其中该保护层的一第二部分保留在该鳍的该上部的一侧壁上；蚀刻该绝缘层的该第一部分，其中该绝缘层的一第二部分保留在该鳍的该上部下方；以及蚀刻该第二半导体基板以在该绝缘层的该第二部分下方形成该鳍的一底部。
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