[发明专利]三维存储器结构的制造方法有效
| 申请号： | 201811140658.7 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109390303B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 胡斌;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L27/115;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种三维存储器结构的制造方法，包括：形成CMOS电路，CMOS电路包括第一硅衬底以及位于第一硅衬底上的第一绝缘层，第一绝缘层中具有多个第一外部焊盘；形成贯穿第一绝缘层和第一硅衬底的硅通孔，硅通孔的第二端在第一硅衬底的底部暴露；在第一绝缘层上形成第一布线层，硅通孔的第一端与第一布线层连接，以及经由第一布线层与第一外部焊盘电连接；形成存储单元阵列，存储单元阵列包括第二硅衬底以及位于第二硅衬底上的第二绝缘层，第二绝缘层中具有多个第二外部焊盘和多个第二布线层；以及将CMOS电路和存储单元阵列键合成三维存储器结构。本发明实施例可以减少布线密度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅穿孔工艺，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一硅衬底以及位于所述第一硅衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有多个第一金属层；形成贯穿第一绝缘层和第一硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的第一端与所述第一金属层电连接，第二端在所述第一硅衬底的底部暴露；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第二硅衬底以及位于所述第二硅衬底上的第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有多个第二金属层；将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆之上，其中，所述第一硅衬底与所述第二绝缘层彼此接触，所述硅通孔与所述第二金属层键合，从而实现第一晶圆和第二晶圆的电连接。
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