[发明专利]具有内部静电屏蔽的体声波（BAW）滤波器结构有效
| 申请号： | 201811136963.9 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109586681B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 耶齐德·优素福 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/56 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施方案涉及一种具有内部静电屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构。在本文公开的示例性方面，屏蔽的BAW滤波器结构包括衬底、在所述衬底上方的多个换能器以及在所述衬底和所述多个换能器的顶部电极之间的平面静电屏蔽体。所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并且驻留在包括寄生电容的滤波器中。所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与所述滤波器的所述寄生电容相关联的电场以减小所述寄生电容。因此，与未屏蔽的BAW滤波器结构相比，所述屏蔽的BAW滤波器结构减小了寄生电容的影响力，从而提供改善的滤波性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内部 静电屏蔽 声波 baw 滤波器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有内部屏蔽的体声波(BAW)滤波器结构，其包括：衬底；在所述衬底上方的多个换能器，所述多个换能器中的每一个包括底部电极、在所述底部电极上方的压电层以及在所述压电层上方的顶部电极，所述多个换能器中的每一个形成BAW谐振器的一部分并驻留在滤波器中，所述滤波器耦合在输入节点和输出节点之间并且具有形成寄生电容的电场；以及在所述衬底和所述多个换能器的所述顶部电极中的至少一个之间的平面静电屏蔽体，所述平面静电屏蔽体耦合到接地节点并中断与所述滤波器的所述寄生电容相关联的所述电场以减小所述寄生电容。
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