[发明专利]一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811133445.1 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957360A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/267;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III‑V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述势垒层与栅电极连接，所述盖层与源电极和漏电极连接。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基锗锡高 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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