[发明专利]一种MOS晶体管的形成方法以及CMOS图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 201811132957.6 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109065456A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 梅翠玉;秋沉沉;曹亚民 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS晶体管的形成方法以及CMOS图像传感器的形成方法，MOS晶体管的形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极结构；在半导体衬底上形成一图形化的第一掩模层，以图形化的第一掩模层以及栅极结构为掩模，对半导体衬底进行轻掺杂离子注入，以形成未激活的轻掺杂源/漏区；在半导体衬底上由下至上依次形成第一栅极侧墙膜层和第二栅极侧墙膜层，刻蚀第二栅极侧墙膜层和第一栅极侧墙膜层，以通过一次刻蚀工艺在栅极结构的两侧形成第一栅极侧墙和第二栅极侧墙；以及在半导体衬底上形成未激活的重掺杂源/漏区。本发明通过调整轻掺杂离子注入工艺的工序，以减少了MOS晶体管的形成步骤，降低了制程成本，还提高了产品的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极侧墙 衬底 半导体 膜层 栅极结构 轻掺杂 图形化 未激活 掩模层 重掺杂源/漏区 离子注入工艺 刻蚀工艺 轻掺杂源 生产效率 刻蚀 漏区 掩模 制程 离子 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一图形化的第一掩模层，以所述图形化的第一掩模层以及栅极结构为掩模，对所述半导体衬底进行轻掺杂离子注入，以形成未激活的轻掺杂源/漏区，并清除所述图形化的第一掩模层；在所述半导体衬底上由下至上依次形成第一栅极侧墙膜层和第二栅极侧墙膜层，刻蚀所述第二栅极侧墙膜层和第一栅极侧墙膜层，以通过一次刻蚀工艺在所述栅极结构的两侧形成第一栅极侧墙和第二栅极侧墙；以及在所述半导体衬底上形成图形化的第二掩模层，以所述图形化的第二掩模层和第二栅极侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行离子注入，以形成未激活的重掺杂源/漏区，并清除所述图形化的第二掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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