[发明专利]半导体装置与影像感测器集成芯片的形成方法

摘要

本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。

主权项

1.一种半导体装置，设置以检测电磁射线且包括：一影像感测单元，配置于一基板中；一射线吸收区，包含沿着该基板的一第一侧的多个凸状物的阵列配置于该影像感测单元上，且所述凸状物的阵列具有一特征尺寸与一外侧边界；以及一深沟槽隔离结构，围绕所述凸状物的阵列的该外侧边界，该深沟槽隔离结构自该基板的该第一侧延伸至该基板中，其中该深沟槽隔离结构的内侧表面与所述凸状物的阵列的该外侧边界之间横向地隔有一反射长度，且该反射长度取决于所述凸状物的阵列的该特征尺寸。