[发明专利]一种生长可控的稀土钕掺杂二硒化钼薄膜材料制备方法有效
| 申请号： | 201811121638.5 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109182979B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 白功勋;徐时清;张军杰;邓德刚;华有杰 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/04 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 吴秉中 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：首先通过高纯原料钼、硒、钕的化学气相输运反应，制得钕掺杂二硒化钼的多晶体；接着通过压制及烧结，制得钕掺杂二硒化钼的陶瓷靶；将陶瓷靶和清洗过的衬底置入真空腔，通过脉冲激光轰击所制备的陶瓷靶，控制频率、时间、功率等因素，获得不同层数、形貌均匀、面积连续的超薄钕掺杂二硒化钼薄膜光电材料。所制备的材料在近红外区域具有发射光谱，可被用于构筑原子级超薄的光电子器件，如电致发光器件、平板波导、探测器等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 可控 稀土 掺杂 二硒化钼 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钕掺杂二维层状二硒化钼薄膜材料Mo1‑xNdxSe2，x的取值范围：0＜x≤0.05，其特征在于：MoSe2为基质，镧系Nd为红外发光激活剂，Nd替代Mo，所制备的材料实现近红外波段的发光。
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