[发明专利]氧化镓/石墨烯异质结零功耗光电探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811121634.7 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109461790B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 谷雪 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰;杨佳龙 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化镓/石墨烯异质结型光电探测器及其制造方法。所述的光电探测器包括依次叠置的衬底、石墨烯层、氧化镓薄膜和电极。石墨烯层优选为标准湿法转移的石墨烯，氧化镓薄膜优选为室温生长非晶氧化镓薄膜。本发明中非晶氧化镓薄膜采用磁控溅射方法生长，工艺可控性强、容易操作，制作成本低。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且重复性好。本发明制得的光电探测器能够在零功耗下工作，在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 石墨 烯异质结零 功耗 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器，包括依次叠置的衬底、石墨烯层、氧化镓薄膜和电极，其特征在于：所述石墨烯层和氧化镓薄膜形成氧化镓/石墨烯异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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