[发明专利]垂直式环绕栅极场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201811112826.1 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110942993B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李海涛;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造工艺设计领域，提供了一种垂直式环绕栅极场效应晶体管的制造方法，采用气‑液‑固方法制得所述垂直式环绕栅极场效应晶体管的纳米线。采用气‑液‑固方法不仅能够得到晶格结构完整、尺寸均一可控的纳米线，且制备工艺成熟稳定、成本较低。此外，气‑液‑固方法还能够在生长纳米线的过程中进行原位掺杂，进一步简化工艺，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 环绕 栅极 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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