[发明专利]氮化镓基板的制造方法在审
| 申请号： | 201811110281.0 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109148268A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张海涛 | 申请（专利权）人： | 张海涛 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京智客联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11700 | 代理人： | 杨群 |
| 地址： | 214101 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于制造方法，具体涉及一种氮化镓基板的制造方法。一种氮化镓基板的制造方法，包括下述步骤，单晶基板表面部分覆膜,在未被覆膜覆盖的非覆膜部位实施结晶生长工序使之覆膜,并逐次往复多次操作。本发明的显著效果是：通过使用该发明提倡的GaN基板制造工艺,可以实现厚膜GaN结晶的制造。且能够实现实质上内部不含有位错的氮化镓基板的制造。如果将按照本发明中提倡的制造工艺制得的GaN基板应用在电力半导体模块的构成材料中的话,因为不存在位错,所以不会有漏电问题的发生,不会有绝缘、耐压性能降低的顾虑,实际使用效果将十分优异。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓基板 制造 覆膜 制造工艺 位错 电力半导体模块 结晶生长工序 单晶基板 构成材料 漏电问题 耐压性能 被覆膜 厚膜 绝缘 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基板的制造方法，其特征在于：包括下述步骤，单晶基板表面部分覆膜,在未被覆膜覆盖的非覆膜部位实施结晶生长工序使之覆膜,并逐次往复多次操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
