[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201811108925.2 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109560040B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林杏莲;江法伸;金海光;吴启明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种包含用以增进电极粘合性的粘合层的集成电路及其形成方法。一些实施例中，集成电路包含连通柱介电层、粘合层及第一电极。粘合层上覆连通柱介电层，第一电极上覆并直接接触粘合层。粘合层在第一电极接触粘合层的界面处具有第一表面能，第一电极在界面处具有第二表面能。并且，第一表面能大于第二表面能，用以增进粘合性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的形成方法，包括：延伸穿过一连通柱介电层形成一连通柱；形成一粘合层，该粘合层覆盖该连通柱介电层和该连通柱；以及形成一第一电极层，该第一电极层上覆并直接接触该粘合层，其中该粘合层在该第一电极层接触该粘合层的一界面处具有一第一表面能，其中该第一电极层在该界面处具有一第二表面能，且其中该第一表面能大于该第二表面能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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