[发明专利]具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201811108658.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109461655B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 任春江;沈宏昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出的是一种具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法，包括如下步骤：（1）在AlGaN势垒层上提供第一欧姆接触作为源电极、第二欧姆接触作为漏电极；（2）制备第一个“T”型栅电极；（3）重复步骤1）～6）制备多个“T”型栅电极；（4）以各个栅电极作为掩膜，采用干法刻蚀的方法制备多栅AlGaN/GaN HEMT器件。优点：1）多栅器件的各个栅电极独立形成，可获得更小的栅电极间距，有效提升作为控制类器件应用时氮化物高电子迁移率晶体管的性能；2）制造过程增加的工艺步骤较少，在保证低成本的同时最大程度的减小工艺过程对器件性能与可靠性可能产生的不利影响；3）对各个栅电极下的外延层表面能够形成良好的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 氮化物 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法，其特征在于包括如下步骤：（1）在AlGaN势垒层上提供第一欧姆接触作为源电极、第二欧姆接触作为漏电极；（2）制备第一个“T”型栅电极；（3）重复步骤1）～6）制备多个“T”型栅电极；（4）以各个栅电极作为掩膜，采用干法刻蚀的方法制备多栅AlGaN/GaN HEMT器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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