[发明专利]非易失性存储器装置和对非易失性存储器装置编程的方法在审
| 申请号： | 201811105587.7 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545260A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 曹诚敏;李承宰;李先健 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种对包括第一存储器块和第二存储器块的非易失性存储器装置编程的方法，所述方法包括：对第一存储器单元执行第一编程操作，所述第一存储器单元位于所述第一存储器块中并且连接至相对于衬底在第一水平的第一字线；在对所述第一存储器单元执行所述第一编程操作后，对第二存储器单元执行所述第一编程操作，所述第二存储器单元位于所述第二存储器块中并且连接至所述第一水平的第二字线；以及在对所述第二存储器单元执行所述第一编程操作后，对所述第一存储器单元执行第二编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 第二存储器 编程操作 存储器单元 非易失性存储器装置 存储器块 字线 编程 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种对包括第一存储器块和第二存储器块的非易失性存储器装置编程的方法，所述方法包括：对第一存储器单元执行第一编程操作，所述第一存储器单元位于所述第一存储器块中并且连接至相对于衬底在第一水平的第一字线；在对所述第一存储器单元执行所述第一编程操作后，对第二存储器单元执行所述第一编程操作，所述第二存储器单元位于所述第二存储器块中并且连接至所述第一水平的第二字线；以及在对所述第二存储器单元执行所述第一编程操作后，对所述第一存储器单元执行第二编程操作。
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