[发明专利]晶片级热电能量收集器在审
| 申请号： | 201811096766.9 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807451A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈宝兴;P·M·马克吉尼斯;W·A·拉尼;J·康奈特 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/16 | 分类号： | H01L27/16;H01L35/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片级热电能量收集器。集成电路可以包括基板和形成在基板上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可设置在介电层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并同时在p型和n型热电元件之间交替。 | ||
| 搜索关键词： | 热电能量 介电层 晶片级 收集器 基板 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种热电收集器，包括：第一基板，其上具有多个热电管腿；和第二基板，具有多个安装区域以及多个沟槽，所述多个安装区域通过易熔材料的相应实例与所述多个热电管腿结合，所述多个沟槽靠近所述多个安装区域并且被配置为阻止易熔材料的相邻实例的流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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