[发明专利]基于加载电阻的多频超材料吸收器的太赫兹微测辐射热计在审
| 申请号： | 201811094828.2 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109443551A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 马建国;王旭;傅海鹏;马凯学 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于加载电阻的多频超材料吸收器的太赫兹微测辐射热计，包括有采用标准55nmCMOS工艺制成的硅衬底，所述的硅衬底上设置有能够同时接收三个频段电磁波的加载负载电阻的多频超材料吸收结构和接收多频超材料吸收结构的输出信号的PTAT温度传感电路，所述PTAT温度传感电路的输出端构成太赫兹微测辐射热计的输出端。本发明能够实现同时探测910GHz、2.58THz和4THz三个频段的太赫兹信号，并通过引入负载电阻来提高探测器响应度，进而获得了一种多频太赫兹探测的有效方法，为实现多频高性能太赫兹探测提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 多频 微测辐射热计 超材料吸收器 温度传感电路 探测 负载电阻 加载电阻 吸收结构 超材料 硅衬底 输出端 频段 太赫兹信号 探测器响应 输出信号 电磁波 加载 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于加载电阻的多频超材料吸收器的太赫兹微测辐射热计，包括有采用标准55nm CMOS工艺制成的硅衬底，其特征在于，所述的硅衬底上设置有能够同时接收三个频段电磁波(f1、f2、f3)的加载负载电阻的多频超材料吸收结构(1)和接收多频超材料吸收结构(1)的输出信号的PTAT温度传感电路(2)，所述PTAT温度传感电路(2)的输出端构成太赫兹微测辐射热计的输出端。
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