[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制作方法有效
| 申请号: | 201811093615.8 | 申请日: | 2018-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN109360822B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 张辉 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人: | 李明香 |
| 地址: | 325608 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法,包括:在第一导电类型的衬底中形成第一沟槽和第二沟槽;形成第二导电类型的外延层,包括形成于所述衬底上表面的第一部分,以及分别形成于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成的第二部分;在所述衬底和所述外延层交界处形成覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽上表面,以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底上表面的第一介质层;在所述衬底内形成覆盖所述第一沟槽下表面的第二介质层以及覆盖所述第二沟槽下表面的第三介质层,所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层边缘;在所述外延层上表面形成第一电极;在所述衬底下表面形成第二电极,从而降低了器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 瞬态 电压 抑制器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种瞬态电压抑制器,其特征在于,包括:第一导电类型的衬底;第一沟槽和第二沟槽,形成于所述外延层内;第二导电类型的外延层,包括形成于所述衬底上表面的第一部分,以及分别形成于所述第一沟槽和所述第二沟槽内的第二部分;第一介质层,注入形成于所述衬底和所述外延层交界处并覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面,以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底的上表面;第二介质层和第三介质层,分别注入形成于所述衬底内并覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的下表面,所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层的边缘;第一电极,形成于所述外延层的上表面并与所述外延层连接;第二电极,形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张辉,未经张辉许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811093615.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种仿太阳光谱LED光源
- 下一篇:沟槽型瞬态电压抑制器及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





