[发明专利]一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法

摘要

本发明涉及一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法，应用于硅片纸源扩散后硼斑的去除。首先，设置等离子气体刻蚀的条件，刻蚀气体为CF₄和O₂的混合气体，其中气体比例为CF₄：O₂=3‑5：1，气体的总量控制在150‑250sccm，刻蚀功率为300‑600W，刻蚀时间为8‑15min，工作时真空度为10‑30Pa；然后，将硅片放入等离子刻蚀机中运行刻蚀程序；刻蚀完成后，将硅片置于SC‑I溶液中浸泡5‑10分钟后用纯水冲洗、甩干、烘干。本发明用等离子气体刻蚀的方式去除硅片表面的硼斑，防止引入喷砂造成芯片应力较大，导致晶格缺陷，造成硅片破碎及影响电性能力。同时可以提高后续镀镍时镍层和硅的结合力，避免脱镍。

主权项

1.一种采用等离子刻蚀的方式去除硼斑的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，设置等离子气体刻蚀的条件，刻蚀气体为CF4和O2的混合气体，刻蚀功率为300‑600W，刻蚀时间为8‑15min，工作时真空度为10‑30Pa；然后，将硅片放入等离子刻蚀机中运行刻蚀程序；刻蚀完成后，将硅片置于SC‑I溶液中浸泡5‑10分钟后用纯水冲洗、甩干、烘干。