[发明专利]用于铜引线接合的纳米结构阻挡层在审
| 申请号： | 201811091166.3 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524309A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | N·达沃德;C·D·曼纳克;S·F·帕沃内 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;尚晓芹 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的名称为用于铜引线接合的纳米结构阻挡层。用于铜引线接合的纳米结构阻挡层(110)包括金属晶粒(114)和在金属晶粒(114)之间的晶粒间金属(116)。纳米结构阻挡层(110)包括选自镍或钴的第一金属，和选自钨或钼的第二金属。晶粒间金属(116)中第二金属的浓度高于金属晶粒(114)中第二金属的浓度。纳米结构阻挡层(110)可以在铜芯引线(100)上以提供涂布的接合引线。纳米结构阻挡层(110)可以在接合垫上以形成涂布的接合垫。公开了使用反向脉冲电镀来电镀纳米结构阻挡层(110)的方法。公开了使用涂布的接合引线的引线接合方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 阻挡层 金属 金属晶粒 接合 铜引线 接合引线 晶粒 接合垫 反向脉冲电镀 铜芯引线 引线接合 电镀 | ||
【主权项】：
1.一种形成涂布的接合引线的方法，其包括：提供铜芯引线，所述铜芯引线包括大于90重量百分比的铜；和在所述铜芯引线上电镀至少第一金属和至少第二金属以在所述铜芯引线上形成纳米结构阻挡层，其中：所述第一金属选自镍和钴；所述第二金属选自钨和钼；所述纳米结构阻挡层包括金属晶粒和在所述金属晶粒之间的晶粒间金属；所述金属晶粒包括所述第一金属和所述第二金属；所述晶粒间金属包括所述第一金属和所述第二金属；并且所述晶粒间金属中所述第二金属的浓度高于所述金属晶粒中所述第二金属的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
