[发明专利]一种LED晶圆及其制作方法在审
| 申请号： | 201811085449.7 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109103308A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吴亦容;庄家铭;陈凯;赵兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED晶圆，包括蓝宝石衬底、设于蓝宝石衬底表面的缓冲层、设于缓冲层上的非掺杂GaN层、设于非掺杂GaN层上的N型GaN层、设于N型GaN层上的有源层、设于有源层上的电子阻挡层、设于电子阻挡层上的P型GaN层、以及设于蓝宝石衬底背面的导热层，所述导热层由AlN或SiC或Si或DLC或GaN或InN或石墨烯制成，所述导热层的耐受温度为2000℃。相应地，本发明还提供了一种LED晶圆的制作方法。本发明在蓝宝石衬底的背面形成导热层，使蓝宝石衬底受热均匀，提高外延的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 导热层 衬底 非掺杂GaN层 电子阻挡层 缓冲层 源层 衬底表面 受热均匀 石墨烯 耐受 制作 背面 | ||
【主权项】：
1.一种LED晶圆，其特征在于，包括蓝宝石衬底、设于蓝宝石衬底表面的缓冲层、设于缓冲层上的非掺杂GaN层、设于非掺杂GaN层上的N型GaN层、设于N型GaN层上的有源层、设于有源层上的电子阻挡层、设于电子阻挡层上的P型GaN层、以及设于蓝宝石衬底背面的导热层，所述导热层由AlN或SiC或Si或DLC或GaN或InN或石墨烯制成，所述导热层的耐受温度为2000℃。
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