[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 201811085276.9 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109559974A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 中谷公彦;龟田贤治;佐野敦;松冈树 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的膜的阶梯被覆性。将于第二温度以上且低于第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数，所述不含卤素的原料具有利用基于第一温度的热能而被切断的第一化学键、和利用基于比第一温度低的第二温度的热能而被切断的第二化学键，并且一分子中的第一化学键的数量相对于第二化学键的数量的比率为3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 化学键 衬底处理装置 半导体器件 衬底 阶梯被覆性 第一层 制造 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其具有通过将于第二温度以上且低于第一温度的温度下对衬底供给不含卤素的原料从而形成第一层的工序实施规定次数从而在所述衬底上形成膜的工序，所述不含卤素的原料具有利用基于所述第一温度的热能而被切断的第一化学键、和利用基于比所述第一温度低的所述第二温度的热能而被切断的第二化学键，并且一分子中的所述第一化学键的数量相对于所述第二化学键的数量的比率为3以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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