[发明专利]Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811082940.4 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109244829B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 舒斌;张利锋;高玉龙;胡辉勇;王斌;王利明;韩本光;张鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/30;H01S5/125 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法。该方法包括：在衬底的表面生长第一布拉格反射镜层；在第一布拉格反射镜层的表面生长第一n型Ge层；在第一n型Ge层的表面生长第二n型Ge层；在第二n型Ge层的表面生长GeSn层；在GeSn层的表面生长第一p型Ge层；在第一p型Ge层的表面生长第二p型Ge层；在第二p型Ge层的表面生长第二布拉格反射镜层；在得到的结构上刻蚀出第一柱体和第二柱体；在第一台阶及所述第二台阶形成电极；最终形成Ge/GeSn异质结激光器。本发明通过采用GeSn材料代替传统的单一Ge材料，提高了发光效率；通过采用P‑I‑N结构降低了阈值电流密度；另外，本发明的制备方法工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 表面生长 布拉格反射镜层 异质结激光器 制备 柱体 制备方法工艺 材料代替 发光效率 传统的 电极 衬底 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种Ge/GeSn异质结激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在衬底的表面形成第一布拉格反射镜层；/n(2)在所述第一布拉格反射镜层的表面形成第一n型Ge层；/n(3)在所述第一n型Ge层的表面形成第二n型Ge层；/n(4)在所述第二n型Ge层的表面形成GeSn层；/n(5)在所述GeSn层的表面形成第一p型Ge层；/n(6)在所述第一p型Ge层的表面形成第二p型Ge层；/n(7)在所述第二p型Ge层的表面形成第二布拉格反射镜层；/n(8)刻蚀第一区域的所述第二布拉格反射镜层、所述第二p型Ge层、所述第一p型Ge层、所述GeSn层、所述第二n型Ge层及所述第一n型Ge层形成第一台阶；刻蚀第二区域的所述第二布拉格反射镜层形成第二台阶；/n(9)在所述第一台阶及所述第二台阶形成电极。/n
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