[发明专利]晶圆清洗液、化学机械研磨后清洗方法及晶圆在审
申请号: | 201811079529.1 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN110900455A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 席涛 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | B24B55/00 | 分类号: | B24B55/00;C11D1/22;C11D3/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 董天宝;于宝庆 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆清洗液、化学机械研磨后清洗方法及晶圆,所述晶圆清洗液含有阴离子表面活性剂,所述阴离子表面活性剂占所述晶圆清洗液的质量百分比为0.4%~0.6%。本发明通过在化学机械研磨后清洗中,加入特定的含有阴离子表面活性剂的晶圆清洗液,能够有效减少钨栓塞上的颗粒残留,降低晶圆缺陷发生的概率,同时有利于提高钨栓塞的导电能力,增强电性。本发明的化学机械研磨后清洗方法工艺简单,能够大大降低晶圆后期清洗的成本,与现有后清洗工艺相比,具有成本低,晶圆产品良率高的优势。 | ||
搜索关键词: | 清洗 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811079529.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种分离式半模引射式短舱动力影响试验方法
- 下一篇:拦截失驾人员的方法和装置