[发明专利]一种高速宽调谐范围高线性度环形压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201811079055.0 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109379079B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 张长春;王新稳 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099;H03K3/03;H03K5/133
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 唐绍焜
地址: 210000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种高速宽调谐范围高线性度环形压控振荡器,是由至少三级延迟单元组成并且工作于两个控制端的双环路。两个环路的控制电压分别加在PMOS负载管以及NMOS负载管的栅极。当控制电压较低时,PMOS负载管处于调谐状态;当控制电压较高时,NMOS负载管处于调谐状态。这样控制信号在整个电压范围内有效,即可得到覆盖电源电压的调谐范围。本发明的结构采用伪差分结构,为了保证电路振荡引入了直接交叉耦合的MOS管。引入栅极接地的MOS管增加流进输入对管的电流提高电路的输出频率。同时增加有源电感结构扩展压控振荡器的工作带宽。本发明具有高速、宽调谐范围以及高线性度等优点。
搜索关键词: 一种 高速 调谐 范围 线性 环形 压控振荡器
【主权项】:
1.一种高速宽调谐范围高线性度环形压控振荡器,其特征在于:由至少三级延迟单元组成,形成两条环路:主环路与次级环路;所述主环路按顺序连接,所述次级环路输入接前两级输出;所述延迟单元包括第一对NMOS管(N1,N2)、第二对NMOS管(N3,N4)、第三对NMOS管(N5,N6)、第四对NMOS管(N7,N8)、第五对NMOS管(N9,N10)、第一对PMOS管(P1,P2)、第二对PMOS管(P3,P4)、第三对PMOS管(P5,P6)以及第四对PMOS管(P7,P8);其中第一对NMOS管(N1,N2)为主输入差分对管,其栅极分别接差分输入信号端(VINP,/VINP),漏极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),源极均接地;第二对NMOS管(N3,N4)直接交叉耦合连接,其栅极分别接到差分输出端(VOUT,/VOUT),漏极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),源极均接地;第三对NMOS管(N5,N6)为细调端的负载管,其栅极接到细调控制端(VT),漏极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),源极均接地;第四对NMOS管(N7,N8)为粗调端的负载管,其栅极接到粗调控制端(VC),漏极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),源极均接地;第五对NMOS管(N9,N10)为有源电感结构中的对管,其栅极接到第一对PMOS管(P1,P2)的漏极,源极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),漏极均接电源VDD;第一对PMOS管(P1,P2)为有源电感结构中的可变电阻管,其栅极均接到次级差分输入端(VINS,/VINS),漏极分别接到第五对NMOS管(N9,N10)的栅极,源端均接电源VDD;第二对PMOS管(P3,P4)为细调端的调谐负载管,栅极接到细调端控制端(VT),漏端分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),源极接到电源VDD;第三对PMOS管(P5,P6)为负载管,栅极均接地,源极均接电源VDD,漏极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT);第四对PMOS管(P7,P8)为粗调端负载管,栅极均接到粗调端控制端(VC),漏极分别接到差分输出端(/VOUT,VOUT),源极均接电源VDD。
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