[发明专利]溅射装置有效

专利信息
申请号: 201811070874.9 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN109778127B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 三泽启太;阿部大和;渡部新;竹见崇;青沼大介 申请(专利权)人: 佳能特机株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 朱龙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种抑制冷却液附着于磁铁的溅射装置,在靶(100A)和形成由靶100A的构成原子形成的薄膜的基板(50)之间形成磁场的状态下进行溅射的磁控溅射方式的溅射装置(1),其特征在于,具有:圆筒状的靶(100A),设置于与基板(50)相对的位置,且在溅射时旋转;冷却液流路,流过冷却靶(100A)的冷却液;以及设置于靶(100A)内的密闭容器,形成所述磁场的磁铁(151)配置于密闭容器(100C)内,从而与所述冷却液流路隔离。
搜索关键词: 溅射 装置
【主权项】:
1.一种溅射装置,是在靶与基板之间形成磁场的状态下进行溅射的磁控溅射方式的溅射装置,在所述基板形成由所述靶的构成原子形成的薄膜,所述溅射装置的特征在于,具备:圆筒状的所述靶,所述靶设置于与所述基板相对的位置,且在溅射时旋转;冷却液流路,冷却所述靶的冷却液流过所述冷却液流路;以及密闭容器,所述密闭容器设置于所述靶内,形成所述磁场的磁铁配置于所述密闭容器内,从而与所述冷却液流路隔离。
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