[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201811069093.8 申请日: 2018-09-13
公开(公告)号: CN109524354A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 铃木克彦;伴祐人 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66;B23K26/53
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供晶片的加工方法。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片,其正面被密封材料密封,在密封材料的芯片区域内分别形成有多个凸块,该方法具有如下工序:对准工序,通过红外线拍摄构件透过密封材料对器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线;改质层形成工序,将对于器件晶片和密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在器件晶片或密封材料的内部并沿着分割预定线照射而形成改质层;和分割工序,对器件晶片和密封材料赋予外力而以改质层为分割起点分割成正面被密封材料密封的各个器件芯片,密封材料具有使红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性。
搜索关键词: 密封材料 器件晶片 分割预定线 改质层 晶片 被密封材料 拍摄构件 芯片区域 透过性 红外线 密封 红外线透过 对准标记 分割起点 激光加工 交叉形成 器件芯片 形成工序 激光束 聚光点 波长 分割 检测 凸块 加工 照射 对准 拍摄 赋予
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片,该器件晶片的正面被密封材料密封,在该密封材料的该芯片区域内分别形成有多个凸块,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的工序:对准工序,从该晶片的正面侧通过红外线拍摄构件透过该密封材料对该器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记,根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线;改质层形成工序,在实施了该对准工序之后,将对于该器件晶片和该密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该器件晶片或该密封材料的内部,从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射激光束,在该器件晶片和该密封材料的内部形成改质层;以及分割工序,在实施了该改质层形成工序之后,对该器件晶片和该密封材料赋予外力而以该改质层为分割起点将该晶片分割成正面被该密封材料密封的各个器件芯片,该密封材料具有使该红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性。
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