[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201811068622.2 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN109524353A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 铃木克彦;伴祐人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/68 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,透过包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料来实施对准工序。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片,其正面被密封材料密封,在密封材料的芯片区域内分别形成有多个凸块,该方法具有如下工序:对准工序,从晶片的正面侧通过红外线拍摄构件透过密封材料对器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记,根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线;和分割工序,从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于密封材料和器件晶片具有吸收性的波长的激光束,通过烧蚀加工将该晶片分割成正面被密封材料密封的各个器件芯片,该密封材料具有使该红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性。 | ||
搜索关键词: | 密封材料 晶片 分割预定线 器件晶片 被密封材料 对准标记 拍摄构件 芯片区域 红外线 密封 对准 加工 红外线透过 激光加工 交叉形成 晶片分割 晶片正面 器件芯片 激光束 透过性 吸收性 波长 检测 包覆 烧蚀 炭黑 凸块 照射 拍摄 分割 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片,该器件晶片的正面被密封材料密封,在该密封材料的该芯片区域内分别形成有多个凸块,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的工序:对准工序,从该晶片的正面侧通过红外线拍摄构件透过该密封材料对该器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记,根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线;以及分割工序,在实施了该对准工序之后,从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射对于该密封材料和该器件晶片具有吸收性的波长的激光束,通过烧蚀加工将该晶片分割成正面被该密封材料密封的各个器件芯片,该密封材料具有使该红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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