[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构

摘要

本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本发明的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。

主权项

1.一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，所述深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，所述第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，所述第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个所述深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，所述第二P阱上层设有第二N+注入区，所述第二N+注入区两侧部分位于所述第二N阱上层。