[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811062243.2 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109449264B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;张武斌;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个超晶格结构均包括InGaN量子阱层和依次层叠在InGaN量子阱层上的过渡层和GaN量子垒层，过渡层包括第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层为AlInN层，第二子层为AlGaN层。AlInN材料与InGaN材料晶格比较匹配，AlGaN材料与GaN材料的晶格比较匹配，且AlInN材料与GaN材料的晶格也比较匹配，因此通过设置第一子层和第二子层可以减少InGaN量子阱层与GaN量子垒层之间的晶格失配，从而减少缺陷的产生，提高电子和空穴在多量子阱层的辐射复合发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，其特征在于，所述多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个所述超晶格结构均包括InGaN量子阱层和依次层叠在所述InGaN量子阱层上的过渡层和GaN量子垒层，所述过渡层包括第一子层和设置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为AlInN层，所述第二子层为AlGaN层。
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