[发明专利]一种二甲基硅油表面磁控溅射沉积氮化钛的方法在审
| 申请号： | 201811058725.0 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109055894A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 丁红;乔宪武 | 申请（专利权）人： | 杭州联芳科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州经济技术开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于磁控溅射技术，具体涉及一种二甲基硅油表面磁控溅射沉积氮化钛的方法。其特征在于按如下步骤进行：步骤1、溅射前处理；步骤2、溅射镀膜参数调节；步骤3、真空室内剥离薄膜；步骤3、关机取样。本发明有益效果：通过本方法，对二甲基硅油表面磁控溅射沉过程控制简单，薄膜厚度可控，无氮化钛褶皱形成。 | ||
| 搜索关键词： | 二甲基硅油 氮化钛 磁控溅射沉积 褶皱 磁控溅射技术 剥离薄膜 参数调节 磁控溅射 过程控制 厚度可控 溅射镀膜 前处理 关机 溅射 取样 薄膜 室内 | ||
【主权项】：
1.一种二甲基硅油表面磁控溅射沉积氮化钛的方法，其特征在于：按如下步骤进行：步骤1、溅射前处理，对硅片基底进行清洗抛光，将二甲基硅油涂覆在硅片表面；采用磁控溅射方法，靶材选用钛靶，清洗抛光靶材表面，工作气体为高纯氮气；步骤2、溅射镀膜参数调节，磁控溅射过程，采用本底真空1.0‑5.0×10‑4Pa，充入氮气作为反应气体，氮气流量控制在30‑105sccm，工作真空1.0‑8.0×10‑1Pa，预溅5分钟，磁控溅射源功率调节范围100‑120W，负偏压0V，溅射10‑15分钟；步骤3、将溅射氮化钛薄膜在真空室恒温条件下快速剥离；步骤4、关机测试，一小时后关闭系统，关闸板阀，关闭分子泵，分子泵停止工作后关闭电磁阀，关机械泵，取样品。
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