[发明专利]一种宽带全差分低噪声放大器

摘要

本发明涉及一种宽带全差分低噪声放大器，其特征在于，包括：该放大器分为两级，包括输入匹配级电路和噪声抵消级电路；所述输入匹配级电路，其输入端接收信号输入端的信号(IN1/IN2)，产生相位相反的两路信号，分别通过电容电阻组成的高通滤波器输出到后级噪声抵消级电路；所述噪声抵消级电路，该噪声抵消级电路两边各有三个输入端，三个输出端，其中一路输入连接输入匹配级的输出，两路输入接收差分信号输入端的信号(IN1/IN2)，输出两路差分信号(OUT1/OUT2)。

主权项

1.一种宽带全差分低噪声放大器，其特征在于，包括：该放大器分为两级，包括输入匹配级电路和噪声抵消级电路；所述输入匹配级电路，其输入端接收信号输入端的信号(IN1/IN2)，产生相位相反的两路信号，分别通过电容电阻组成的高通滤波器输出到后级噪声抵消级电路；所述噪声抵消级电路，该噪声抵消级电路两边各有三个输入端，三个输出端，其中一路输入连接输入匹配级的输出，两路输入接收差分信号输入端的信号(IN1/IN2)，输出两路差分信号(OUT1/OUT2)。所述输入匹配级电路包括：第一晶体管(M1)，第二晶体管(M2)，第三晶体管(M3)，第八晶体管(M8)，第九晶体管(M9)；其中，所述第一晶体管(M1)的栅极分别与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端连接；所述第八晶体管(M8)的栅极分别与第九晶体管(M9)的栅极、第三电阻(R3)的第一端连接；所述的第一晶体管(M1)的漏极分别与第二晶体管(M2)的漏极、第一电阻(R1)的第二端连接；所述的第八晶体管(M8)的漏极分别与第九晶体管(M9)的漏极、第三电阻(R1)的第二端连接；所述的第二晶体管(M2)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接；所述的第九晶体管(M9)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接；所述噪声抵消级电路包括：第四晶体管(M4)，第五晶体管(M5)，第六晶体管(M6)，第七晶体管(M7)，第十晶体管(M10)，第十一晶体管(M11)，第十二晶体管(M12)，第十三晶体管(M13)；其中，所述第四晶体管(M4)的栅极分别与第一电阻的第一端和第二电容(C2)的第一端连接；第十晶体管(M10)的栅极分别与第三电阻的第一端和第四电容(C4)的第一端连接；所述第四晶体管(M4)的漏极与第五晶体管(M5)的源极连接；第十晶体管(M10)的漏极与第十一晶体管(M11)的源极连接；所述第五晶体管(M5)的漏极分别与第六晶体管(M6)的源极、第七晶体管(M7)的漏极连接；第十一晶体管(M11)的漏极分别与第十二晶体管(M12)的源极、第十三晶体管(M13)的漏极连接；所述第六晶体管(M6)的栅极与第二电阻(R2)的第一端和第一电容(C1)的第二端连接；第十二晶体管(M12)的栅极与第四电阻(R4)的第一端和第三电容(C3)的第二端连接；所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端连接；第十三晶体管(M13)的栅极与第四电容(C4)的第二端连接；所述的第一晶体管(M1)和第八晶体管(M8)的源极和地连接，第三晶体管(M3)的漏极接电源VDD，栅极接偏置电压Vbias1；所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端和偏置电压Vbias2连接；第十三晶体管(M13)的栅极分别与第四电容(C4)的第二端和偏置电压Vbias2连接；所述第六晶体管(M6)的漏极与电源VDD连接；第十二晶体管(M12)的漏极电源VDD连接；所述第七晶体管(M7)的源极与电源VDD连接；第十三晶体管(M13)的源极与电源VDD连接；所述第五晶体管(M5)的栅极与偏置电压Vbias3连接；第十一晶体管(M11)的栅极与偏置电压Vbias3连接；所述第一晶体管(M1)、第四晶体管(M4)、第八晶体管(M8)和第十晶体管(M10)的源级均和地连接；所述信号输入端(IN1)连接第一电阻(C1)的第一端、第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的栅极、第四晶体管的栅极以及第二电容(C2)的第一端；所述信号输入端(IN2)连接第三电阻(C3)的第一端、第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)的栅极、第十晶体管的栅极以及第四电容(C4)的第一端；所述第五晶体管(M5)的漏极连接第一信号输出端(OUT1)；所述第十一晶体管(M11)的漏极连接第二信号输出端(OUT2)。