[发明专利]一种半导体测试打点方法

摘要

本发明公开了一种半导体测试打点方法。探针用于测试晶粒的电参数，打点针用于将不合格的晶粒做标记；晶片上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…Xm，Y1/Y2/…Yn）唯一确定位置；探针与打点针相对固定，打点针从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试；当探针位于（Xj Yk）处时，打点针位于（Xj Yk‑1）处；且根据探针已经测试位于（Xj Yk‑1）处为不良晶粒，所述打点针对（Xj Yk‑1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n；使探针和打点针位于不同的晶粒，满足小型化晶粒的测试和标记要求，测试效率高，应用范围广。

主权项

1.一种半导体测试打点方法，其特征在于：探针（21）用于测试晶粒的电参数，打点针（22）用于将不合格的晶粒做标记；晶片（10）上的多个晶粒排布在X向和Y向构成的平面内，所有晶粒都能够用（X1/X2/…Xm Y1/Y2/…Yn）唯一确定位置；探针（21）与打点针（22）相对固定，打点针（22）从O点处的晶粒开始并沿着路径a运动完成对晶粒的测试；当探针（21）位于（Xj Yk）处时，打点针（22）位于（Xj Yk‑1）处；且根据探针（21）已经测试位于（Xj Yk‑1）处为不良晶粒，所述打点针（22）对（Xj Yk‑1）处的晶粒做标记；j≦m，k≦n。