[发明专利]一种磁存储器及其写状态检测方法有效
| 申请号： | 201811045302.5 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890116B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;叶力;夏文斌 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁存储器及其写状态检测方法，该磁存储器包括：高阻态写参考单元，用于提供判断存储单元是否处于高阻态的参考信号；低阻态写参考单元，用于提供判断存储单元是否处于低阻态的参考信号；写入状态检测单元，用于接收高阻态写参考单元和低阻态写参考单元的输出信号以及各存储单元写入回路中的相应检测信号；当进行置为高阻态的写入操作时，写入状态检测单元将存储单元的检测信号与高阻态写参考单元提供的信号进行比较，当判定存储单元已处于高阻态时，发出终止写信号；当进行置为低阻态的写入操作时，写入状态检测单元将存储单元的检测信号与低阻态写参考单元提供的信号进行比较，当判定存储单元已处于低阻态时，发出终止写信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 及其 状态 检测 方法 | ||
【主权项】：
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