[发明专利]一种单室双面镀膜等离子体化学气相沉积系统

摘要

本发明公开了一种单室双面镀膜等离子体化学气相沉积系统，该系统在传统沉积系统的腔室外部增设电极切换装置，该切换装置内设置有四个接触头，分别是上电极接触头、射频电源线接触头、下电极接触头和接地接触头；本发明通过镀膜过程中，调整不同接触头之间的连通关系，使得样品可以在不翻片的情况下实现双面镀膜，样品在镀膜期间始终处于稳定的环境中，解决了因取出样品造成的器件性能变差的情况发生，提高了工艺的稳定性并降低了设备成本。

主权项

1.一种单室双面镀膜等离子体化学气相沉积系统，其特征在于，包括腔室(2‑5)和电极切换装置(2‑7)；腔室(2‑5)内的上部设置有穿出腔室(2‑5)上表面的上电极(2‑1)，腔室(2‑5)内的下部设置有穿出腔室(2‑5)下表面的下电极(2‑2)；电极切换装置(2‑7)内设置有上电极接触头(2‑10)、射频电源线接触头(2‑11)、下电极接触头(2‑12)和接地接触头(2‑13)；上电极接触头(2‑10)和上电极(2‑1)连通，下电极接触头(2‑12)和下电极(2‑2)连接；射频电源线接触头(2‑11)连通有射频电源(2‑8)，接地接触头(2‑13)接地(2‑9)；在腔室(2‑5)内的沉积样品(2‑3)镀膜过程中，电极切换装置(2‑7)内的上电极接触头(2‑10)和射频电源线接触头(2‑11)连通时，下电极接触头(2‑12)和接地接触头(2‑13)连通，沉积样品(2‑3)的上表面镀膜；电极切换装置(2‑7)内的下电极接触头(2‑12)和射频电源线接触头(2‑11)连通时，上电极接触头(2‑10)和接地接触头(2‑13)连通，沉积样品(2‑3)的下表面镀膜。