[发明专利]高性能单壁碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811044695.8 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109256467B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 邱松;金赫华;余小芹;吕前进 | 申请（专利权）人： | 苏州希印纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种高性能单壁碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，该方法中制备金属电极与半导体层的接触区域的过程，包括将均匀分散在有机溶剂中的已经过分离提纯的半导体型单壁碳纳米管置于衬底上并烘干，制备碳管薄膜；利用等离子体对所获得的图案对待沉积电极区域进行局部刻蚀处理，通过调节等离子体处理过程中的气体流量、等离子体发生功率、刻蚀时间，以控制对碳管薄膜的局部刻蚀；在上述局部刻蚀的碳管薄膜上，沉积金属电极作为薄膜晶体管的源漏电极。本发明适于工业级批量制备高纯度半导体型单壁碳纳米管材料，使用这类半导体材料能够制备出高性能微纳米器件和复杂集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 单壁碳 纳米 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高性能单壁碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法中制备金属电极与半导体层的接触区域的过程，包括以下步骤：S1、将均匀分散在有机溶剂中的已经过分离提纯的半导体型单壁碳纳米管置于衬底上制备碳管薄膜；S2、对S1所述的碳管薄膜进行光刻工艺或图形化印刷工艺，得到待沉积电极区域的图案；S3、利用等离子体设备对S2所述的待沉积电极区域进行精确刻蚀处理，通过调节等离子体处理过程中的气体流量、等离子体发生功率、刻蚀时间，以控制对碳管薄膜的局部刻蚀；S4、在S3所述局部刻蚀的碳管薄膜上，沉积金属电极作为薄膜晶体管的源漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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