[发明专利]一种低温共烧陶瓷基板上浅层回路形腔体的成型方法

摘要

本发明涉及一种低温共烧陶瓷基板上浅层回路形腔体的成型方法。操作步骤如下：（1）在12‑30片印刷有内层电路图形的生瓷片堆叠、层压、热切，制得LTCC生坯；不完全烧结，获得初烧基板；（2）在初烧基板的顶面和底面分别沉积金属保护层和光刻胶，获得具有保护的初烧基板；（3）在需要开腔区域去除光刻胶，并紫外激光烧蚀，获得预开腔体基板；（4）采用缓蚀溶液对预开腔体腐蚀，使内层电路图形充分暴露；即获得带腔体基板；（5）去除带腔体基板上剩余的光刻胶的金属保护层；并印刷顶面电路图形和底面电路图形，烧结，获得具有浅层回路腔体的LTCC基板。本发明能方便快捷地制备出现环形、树状分支形等复杂结构的LTCC回路形盲腔。

主权项

1.一种低温共烧陶瓷基板上浅层回路形腔体的成型方法，其特征在于：（1）制作初烧基板取一叠6‑30片瓷片，在每层瓷片上分别进行冲孔、填孔操作；在除顶层瓷片和底层瓷片外的其它瓷片上印刷内层电路图形，再将各层瓷片按顺序堆叠、层压、热切，制得LTCC生坯；在烧结炉中进行不完全烧结：温度450‑500℃、时间100‑150min，使LTCC生坯排胶；升温至750‑800℃、保温时间5‑10min，随炉冷却，获得初烧基板； （2）沉积保护层将初烧基板的顶面和底面分别进行抛光处理，清洗并烘干；通过常规的溅射方法在初烧基板的顶面和底面分别沉积金属保护层；通过匀胶机在所述顶面的金属保护层和底面的金属保护层上分别涂覆一层光刻胶，并热处理，获得具有光刻胶初烧基板；（3）预开腔按照常规曝光显影方法，在具有光刻胶初烧基板的一侧面上去除需要开腔区域的光刻胶；放入烘箱进行热处理；使用紫外激光对去除了光刻胶的开腔区域扫描式烧蚀，扫描次数不少于50次/层，获得预开腔体基板；（4）腔体成型对预开腔体基板进行超声清洗；将开腔面向下置于腐蚀槽中，使用喷射的方法从下向开腔面喷射缓蚀溶液，每隔15‑20min取出预开腔体基板用纯水冲洗一次，并观察与开腔面的腔底对应的内层电路图形是否充分暴露；重复上述操作直至与开腔面的腔底对应的内层电路图形充分暴露；取出具有预定深度腔体的基板清洗、烘干，即获得带腔体基板；（5）后处理将带腔体基板在有机溶剂中去除剩余的光刻胶，再按常规薄膜工艺法去除剩余的金属保护层；在带腔体基板的顶面印刷顶面电路图形和在带腔体基板的底面印刷底面电路图形，干燥；在烧结炉中，升温至烧结温度860‑870℃、保温时间8‑15min，获得具有浅层回路腔体的LTCC基板。