[发明专利]使用运行时逆向工程优化DRAM刷新有效
| 申请号： | 201811025373.9 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109461465B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | M·M·迪帕克;M·容;C·魏斯;N·魏亨 | 申请（专利权）人： | 凯泽斯劳滕工业大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑勇 |
| 地址： | 德国凯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供用于刷新DRAM的方法和相关DRAM控制器。基于优化的命令序列，利用外部多行多库刷新功能刷新DRAM的方法包括：在DRAM的初始化时确定用于外部多行多库刷新功能的操作间时序参数；确定行级激活(ACT)和预充电(PRE)命令的优化时序参数；以及将优化时序参数应用于行级ACT和PRE命令，以使用外部多行多库刷新功能刷新DRAM。更换SDRAM的自动刷新功能。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 运行 逆向 工程 优化 dram 刷新 | ||
【主权项】：
1.一种基于优化的命令序列利用外部多行多库刷新功能刷新DRAM的方法，该方法包括：‑在DRAM的初始化时确定用于外部多行多库刷新功能的操作间时序参数，‑确定用于行级激活(ACT)和预充电(PRE)命令的优化时序参数，‑将优化时序参数应用于行级ACT和PRE命令，以使用外部多行多库刷新功能刷新DRAM。
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