[发明专利]功率器件芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811022178.0 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109285878A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市诚朗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种功率器件芯片及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底上表面生长有外延层，所述外延层内形成有沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁，所述侧壁包括靠近所述底部的第一子侧壁和与所述第一子侧壁连接的第二子侧壁；在所述第一子侧壁和所述底部的表面生长第一氧化硅层；在所述第二子侧壁的表面生长第一氮氧化硅层；在所述第一氧化硅层及所述第一氮氧化硅层的表面生长第二氮氧化硅层；在所述沟槽内形成多晶硅栅；在所述沟槽两侧的外延层内形成体区，所述体区与所述第二子侧壁相连；在所述体区内形成源区。所述功率器件芯片通过设置复合结构的栅介质层，从而降低沟道漏电，提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 功率器件芯片 氮氧化硅层 表面生长 外延层 氧化硅层 制造 衬底上表面 漏电 侧壁连接 侧壁相连 多晶硅栅 复合结构 提升器件 栅介质层 形成体 衬底 沟道 体区 源区 生长 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件芯片，其包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层；其特征在于，所述功率器件芯片还包括：开设在所述外延层中的沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁，所述侧壁包括靠近所述底部的第一子侧壁和与所述第一子侧壁连接的第二子侧壁；位于所述外延层内所述沟槽两侧的第二导电类型的体区，所述体区与所述第二子侧壁相连；位于所述体区内的第一导电类型的源区；填充在所述沟槽内的多晶硅栅；位于所述多晶硅栅与所述外延层之间的栅介质层；所述栅介质层包括：形成于所述第一子侧壁和所述底部的表面的第一氧化硅层；形成于所述第二子侧壁的表面的第一氮氧化硅层；形成于所述第一氧化硅层和所述第一氮氧化硅层的表面的第二氮氧化硅层。
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