[发明专利]电可编程熔丝结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811020067.6 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109244061A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电可编程熔丝结构及其形成方法，所述电可编程熔丝结构包括：半导体衬底；多晶硅结构，位于所述半导体衬底上，所述多晶硅结构包括用于与电源阳极耦接的阳极部、用于与电源阴极耦接的阴极部以及连接所述阳极部和阴极部的连接部；金属硅化物，位于所述多晶硅结构的表面；其中，所述阳极部掺杂有N型离子，所述阴极部掺杂有P型离子。本发明方案可以降低漏电流的影响，提高编程的读出结果的准确性，有效减少运算错误的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 电可编程熔丝 多晶硅结构 阳极部 阴极部 衬底 耦接 半导体 掺杂 金属硅化物 电源阳极 电源阴极 有效减少 漏电流 编程 读出 运算 | ||
【主权项】：
1.一种电可编程熔丝结构，其特征在于，包括：半导体衬底；多晶硅结构，位于所述半导体衬底上，所述多晶硅结构包括用于与电源阳极耦接的阳极部、用于与电源阴极耦接的阴极部以及连接所述阳极部和阴极部的连接部；金属硅化物，位于所述多晶硅结构的表面；其中，所述阳极部掺杂有N型离子，所述阴极部掺杂有P型离子。
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