[发明专利]电荷载流子提取反向二极管

摘要

由于新的顶侧P+型电荷载流子提取区域和轻掺杂的底侧透明阳极的存在，反向二极管管芯是“快速的”(即，具有小的峰值反向恢复电流)。在正向导通期间，由于通过由P+型电荷载流子提取区域建立的电场连续提取空穴，减少了N‑型漂移区中的电荷载流子的数量。电子由透明阳极提取。当然后使器件上的电压反向时，峰值反向恢复电流的幅度减小，这是因为在二极管能够开始反向阻断模式操作之前需要去除的电荷载流子的数量较少。有利地，二极管是快速的，而不必包括寿命抑制因素或以其他方式引入复合中心。因此，反向二极管具有理想的小反向漏电流。

主权项

1.一种半导体器件管芯，具有顶部半导体表面、底部半导体表面和外围侧边缘，所述管芯包括：底侧P型硅区域，其从管芯的底部半导体表面向上延伸，并且还横向向外延伸到管芯的外围侧边缘；N‑型硅区域，设置在所述底侧P型硅区域上方；N型耗尽停止区域，其从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N‑型硅区域中；P+型电荷载流子提取区域，其从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N型耗尽停止区域中；N+型接触区域，其从顶部半导体表面向下延伸并延伸到N型耗尽停止区域中；P型硅外围侧壁区域，其从顶部半导体表面向下延伸到N‑型硅区域中，其中P型硅外围侧壁区域接合底侧P型硅区域，从而形成P型隔离结构，其中P型硅外围侧壁区域还横向环绕N‑型硅区域并将N‑型硅区域与管芯的外围侧边缘分开；顶侧金属电极，设置在N+型接触区域上和P+型电荷载流子提取区域上；以及底侧金属电极，设置在管芯的底部半导体表面上。