[发明专利]适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器

摘要

本发明公开一种适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，包括：硅基衬底；N阱和P阱，设置在硅基衬底上，并在界面处设置P型重掺杂区；第一P型重掺杂区与第一N型重掺杂区，间隔设置在N阱上，并在之间设置第一浅沟槽隔离；第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区，间隔设置在P阱上，并在之间设置第二浅沟槽隔离；第三浅沟槽隔离，设置在第一N型重掺杂区与P型重掺杂区之间；第四浅沟槽隔离，设置在第二N型重掺杂区与P型重掺杂区之间；阳极，与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区电连接；阴极，与第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区电连接。本发明在满足无回滞效应的功能下，实现器件版面结构之小型化，值得业界推广应用。

主权项

1.一种适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器，其特征在于，所述适用于高压电路防静电保护的无回滞效应硅控整流器(1)，包括：硅基衬底(11)，用于设置各功能器件；N阱(12)和P阱(13)，分别设置在所述硅基衬底(11)上，并在所述N阱(12)和所述P阱(13)之界面处设置P型重掺杂区(10)；第一P型重掺杂区(121)与第一N型重掺杂区(122)，间隔设置在所述N阱(12)上，并在所述第一P型重掺杂区(121)与所述第一N型重掺杂区(122)之间设置第一浅沟槽隔离(120)；第二P型重掺杂区(123)与第二N型重掺杂区(124)，间隔设置在所述P阱(14)上，并在所述第二P型重掺杂区(123)与所述第二N型重掺杂区(124)之间设置第二浅沟槽隔离(125)；第三浅沟槽隔离(126)，设置在所述第一N型重掺杂区(122)与所述P型重掺杂区(10)之间；第四浅沟槽隔离(127)，设置在所述第二N型重掺杂区(124)与所述P型重掺杂区(10)之间；阳极，与所述第一P型重掺杂区(121)和所述第一N型重掺杂区(122)电连接；阴极，与所述第二P型重掺杂区(123)与所述第二N型重掺杂区(124)电连接。