[发明专利]沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811012844.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110875396B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡政原 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法。一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管包括衬底、多个沟槽电极结构、多个绝缘结构以及接触栓。衬底具有多个沟槽。沟槽电极结构分别配置于沟槽中。绝缘结构分别配置于沟槽中且位于沟槽电极结构上，每一个绝缘结构包括绝缘柱及多个间隙壁，绝缘柱的顶面高于衬底的顶面，间隙壁紧邻绝缘柱且设置于衬底的顶面上。接触栓配置于相邻的沟槽间的衬底中，相邻的绝缘结构的间隙壁定义接触栓的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 半场 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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