[发明专利]真空控制CsPbIxBr3-x钙钛矿生长的方法和光伏器件在审
| 申请号： | 201811011549.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109300805A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 辇理;汪天怡;张笑晗;容齐坤;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空控制CsPbIxBr3‑x钙钛矿生长的方法和光伏器件，所述真空控制CsPbIxBr3‑x钙钛矿生长的方法包括以下步骤：(1)取钙钛矿前驱体溶解于有机溶剂中，混合得到钙钛矿前驱体溶液；(2)取步骤(1)中的所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于基片上；(3)将涂覆有所述钙钛矿前驱体溶液的基片置于真空环境中静置，后退火处理得到钙钛矿薄膜。本发明的方法有效地改善了传统退火薄膜干燥法所得薄膜形貌差、针孔严重的问题，基于本发明方法得到的CsPbIxBr3‑x钙钛矿的光伏器件性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 前驱体溶液 光伏器件 真空控制 涂覆 生长 基片置于真空 退火 针孔 钙钛矿薄膜 薄膜干燥 薄膜形貌 有机溶剂 后退火 前驱体 有效地 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种真空控制CsPbIxBr3‑x钙钛矿生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取钙钛矿前驱体溶解于有机溶剂中，混合得到钙钛矿前驱体溶液；(2)取步骤(1)中的所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于基片上；(3)将涂覆有所述钙钛矿前驱体溶液的基片置于真空环境中静置，后在氮气氛围中进行退火处理得到钙钛矿薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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