[发明专利]在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法在审
| 申请号： | 201811009044.5 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109285758A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 常洪亮;魏同波;闫建昌;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法，包括：在图形衬底材料上生长出只在平面区域存在的亚单层石墨烯；将材料进行等离子体处理，形成具有缺陷的亚单层石墨烯；采用金属有机化学气相沉积方法分三段进行外延生长，生长出表面结构平整且位错密度在108/cm2量级的较高质量氮化物薄膜。本发明采用在图形衬底选区生长的亚单层石墨烯作为生长氮化物薄膜的插入层，有效提高了金属原子生长过程中在基底表面的横向迁移速率，能够短时间内覆盖图形部分，形成表面平整且较高晶体质量的氮化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 单层石墨烯 生长氮化物 衬底 薄膜 氮化物薄膜 金属有机化学气相沉积 等离子体处理 表面结构 表面平整 衬底材料 横向迁移 基底表面 金属原子 平面区域 生长过程 外延生长 选区生长 生长 插入层 高晶体 三段 位错 平整 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在图形衬底材料上选择区域生长出只在平面区域存在的亚单层石墨烯；步骤S2：将步骤S1得到的材料进行等离子体处理，形成具有缺陷的亚单层石墨烯；步骤S3：在金属有机化学气相沉积设备上，采用金属有机化学气相沉积方法分三段进行外延生长，生长出表面结构平整且位错密度在108/cm2量级的氮化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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