[发明专利]加工方法在审
申请号: | 201810992953.9 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109427574A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 竹之内研二 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供加工方法,在对由难磨削材料等形成的被加工物进行加工的情况下,能够抑制加工磨具的磨损,并且能够顺利地进行加工。该加工方法具有如下的步骤:保持步骤,利用具有对被加工物(W)进行保持的保持面(300a)的保持工作台(30)对被加工物(W)进行保持;以及加工步骤,在实施了保持步骤之后,利用包含加工磨具(74a)的加工单元(7)对被加工物(W)进行加工,该加工磨具(74a)是利用陶瓷结合剂结合磨粒而成的,在加工步骤中,对被加工物(W)提供加工水,并且从光照射单元(9)对加工磨具(74a)的加工面照射规定的波长的光。 | ||
搜索关键词: | 加工 被加工物 磨具 加工步骤 光照射单元 陶瓷结合剂 加工单元 磨削材料 加工面 工作台 波长 磨粒 磨损 照射 | ||
【主权项】:
1.一种加工方法,是被加工物的加工方法,其中,该加工方法具有如下的步骤:保持步骤,利用具有对被加工物进行保持的保持面的保持工作台对被加工物进行保持;以及加工步骤,在实施了该保持步骤之后,利用包含加工磨具的加工单元对被加工物进行加工,该加工磨具是利用陶瓷结合剂结合磨粒而成的,在该加工步骤中,对被加工物提供加工水,并且从光照射单元对该加工磨具的加工面照射规定的波长的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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