[发明专利]一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法

摘要

本发明涉及一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术的不足的问题。本发明采用的方法1)将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0；2)将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1，所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸；3)处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1，即S＝(S1‑S0)/S0；4)沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据，得到待测样品的多个特性参数。

主权项

1.一种基于自由载流子吸收成像的半导体材料特性测量方法，依次包括下述步骤：步骤1)：将连续探测激光垂直照射到被测半导体样品表面，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S0；步骤2)：将聚焦后的连续泵浦激光垂直照射到样品探测光照射区域中心位置，近红外相机测量并由计算机记录此时透射的探测光强空间分布S1，所述的入射到样品表面的探测激光光束尺寸大于聚焦到样品表面的泵浦激光光束尺寸；步骤3)：处理步骤1)和步骤2)得到的透射探测光强空间分布成像结果S0和S1，即S＝(S1‑S0)/S0，得到过剩自由载流子吸收成像结果；步骤4)：沿自由载流子吸收成像结果峰值位置截取距离峰值不同距离的测量数据，利用多参数拟合程序对截取的测量数据进行处理或将处理后的数据与定标样品的信号数据比较，得到待测样品的多个特性参数。