[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810985594.4 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427907A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李商文;金正泽;金利桓;宋宇彬;申东石;李承烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 源图案 衬底 延伸 方向交叉 栅极结构 上表面 下表面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，与所述衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在所述有源图案上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，其中所述有源图案的下部在所述第一方向上延伸并包括相对于所述衬底的上表面倾斜的第一下表面。
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