[发明专利]超级结器件的制造方法

摘要

本本发明公开了一种超级结器件的制造方法，原胞区和终端区的结构同时形成且包括步骤：提供表面形成有第一外延层的半导体衬底。光刻同时定义出原胞区和终端区的沟槽的形成区域并进行第一次刻蚀形成沟槽；设置终端区的第二沟槽的宽度和间隔，使后续氧化工艺将第二沟槽的间隔区域全部氧化以及将第二沟槽完全填充。进行沟槽扩大工艺，包括分步骤：形成牺牲氧化层；终端区中牺牲氧化层将第二沟槽的间隔区域全部氧化和将第二沟槽完全填充；去除原胞区中的牺牲氧化层，实现对原胞区的第一沟槽的扩大。在各第一沟槽中填充第二外延层并形成超级结。本发明能提高器件的击穿电压以及击穿电压的面内均匀性以及提升生产良率，能减少终端区占用面积。

主权项

1.一种超级结器件的制造方法，其特征在于：超级结器件包括原胞区和终端区，原胞区和终端区的结构同时形成且包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有具有第一导电类型的第一外延层；步骤二、采用光刻工艺定义同时定义出所述原胞区的第一沟槽的形成区域和所述终端区的第二沟槽的形成区域；对所述第一外延层进行第一次刻蚀从而在所述第一外延层中形成多个所述第一沟槽和多个所述第二沟槽；在所述终端区中，设置所述第二沟槽的宽度和所述第二沟槽之间的间隔，使所述终端区在后续的沟槽扩大工艺中的牺牲氧化层形成之后所述牺牲氧化层将所述第二沟槽的间隔区域全部氧化以及将所述第二沟槽完全填充；步骤三、进行沟槽扩大工艺，所述沟槽扩大工艺包括分步骤：步骤31、采用氧化工艺在所述第一沟槽和所述第二沟槽中同时形成牺牲氧化层；在所述终端区中，所述牺牲氧化层将所述第二沟槽的间隔区域全部氧化以及将所述第二沟槽完全填充；在所述原胞区中，所述牺牲氧化层将所述第一沟槽之间的间隔区域部分氧化实现对所述第一沟槽的扩大；步骤32、去除所述原胞区中的所述牺牲氧化层，实现对所述第一沟槽的扩大；步骤四、采用外延工艺在各所述第一沟槽中填充第二导电类型的第二外延层，由各所述第二外延层和位于所述地第一沟槽之间的所述第一外延层交替排列组成原胞区中的超级结；所述终端区的结构直接由步骤31中形成的所述牺牲氧化层组成。